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netz - thyristor - modul phase control thyristor module technische information / t echnical i nformation tt21 0n date of publication 2012 - 12 - 19 revision: 3.1 1 / 11 seite /page key parameters v drm / v rrm 1200 C 1800 v i tavm 2 1 0 a (t c =85 c) 3570a (t c =55c) i tsm 6600 a v t0 1 , 0 v r t 0, 85 m? r thjc 0,124 k/w bas e plate width 50 mm for type designation please refer to actual short form catalog http://www.ifbip.com/catalog merkmale features ? druckkontakt - technologie fr hohe zuverl?ssigkeit ? pressure c ontact technology for high reliability ? industrie - standard - geh?use ? industrial standard package ? elektrisch isolierte bodenplatte ? electrically insulated base plate typische anwendungen typical applications ? sanftanlasser ? soft starter s ? gleichrichter fr antriebsapplikationen ? rectifier for drives applications ? kurzschlie?er - applikationen ? crowbar applications ? leistungssteller ? power controllers ? gleichrichter fr ups ? rectifiers for u p s ? batterieladegleichrichter ? battery chargers ? statische umschalter ? s tatic switches content of customer dmx code dmx code dmx code digit digit quantity serial number 1.. 5 5 s a p material number 6..12 7 internal production order number 1 3..20 8 datecode (production year) 21..22 2 datecode (production week ) 2 3 ..2 4 2 td tt
netz - thyristor - modul phase control thyristor module technische information / t echnical i nformation tt21 0n date of publication 2012 - 12 - 19 revision: 3.1 2 / 11 seite /page kenndaten elektrische eigenschaften elektrische eigenschaften / electrical prope rties h?chstzul?ssige werte / maximum rated values tt21 0n ... td 21 0n ... periodische vorw?rts - und rckw?rts - spitzensperrspannung repetitive peak forward off - state and reverse voltages t vj = - 40c... t vj max v drm ,v rrm 1200 1600 140 0 1800 v v vorw?rts - sto?spitzensperrspannung non - repetitive peak forward off - state voltage t vj = - 40c... t vj max v dsm 1200 1600 1400 18 00 v v rckw?rts - sto?spitzensperrspannung non - repetitive peak reverse voltage t vj = +25c... t vj max v rsm 1300 18 00 1500 1900 v v durchla?strom - grenzeffektivwert maximum rms on - state current i trmsm 410 a dauergrenzstrom average on - state current t c = 85c t c = 73 c i tavm 21 0 261 a a sto?strom - grenzwert surge current t vj = 25 c, t p = 10 ms t vj = t vj max , t p = 1 0 ms i tsm 6.6 00 5.8 00 a a grenzlastintegral i2t - value t vj = 25 c, t p = 10 ms t vj = t vj max , t p = 10 ms i2t 218. 000 168. 000 a2s a2s kritische stromsteilheit critical rate of rise of on - state current din iec 747 - 6 f = 50 hz, i gm = 1 a, di g /dt = 1 a/s (di t /dt) cr 150 a/s kritische spannungssteilheit critical rate of rise of off - state voltage t vj = t vj max , v d = 0,67 v drm 6.kennbuchstabe / 6 th letter f (dv d /dt) cr 1 000 v/s charakteristische werte / characteristic values durchla?spannung on - state voltage t vj = t vj max , i t = 7 00 a v t max. 1, 6 5 v schleusenspannung threshold voltage t vj = t vj max v (to) max. 1,0 v ersatzwiderstand slope resistance t vj = t vj max r t m ax. 0,85 m zndstrom gate trigger current t vj = 25c, v d = 12 v i gt max. 200 ma zndspannung gate trigger voltage t vj = 25c, v d = 12 v v gt max. 2 v nicht zndender steuerstrom gate non - trigger current t vj = t vj max , v d = 12 v t vj = t vj max , v d = 0,5 v drm i gd max. max. 10 5 ma ma nicht zndende steuerspannung gate n on - trigger voltage t vj = t vj max , v d = 0,5 v drm v gd max. 0,2 v haltestrom holding current t vj = 25c, v d = 12 v, r a = 1 i h max. 300 ma einraststrom latching current t vj = 25c, v d = 12 v, r gk 10 i gm = 1 a, di g /dt = 1 a/s, t g = 20 s i l max. 1200 ma vorw?rts - und rckw?rts - sperrstrom forward off - state and reverse current t vj = t vj max v d = v drm , v r = v rrm i d , i r m ax. 50 ma zndverzug gate controlled delay time din iec 747 - 6 t vj = 25 c,i gm = 1 a, di g /dt = 1 a/s t gd max. 3 s prepared by: cd date of publication: 19 .12.12 approved by: ml revision: 3. 1
netz - thyristor - modul phase control thyristor module technische information / t echnical i nformation tt21 0n date of publication 2012 - 12 - 19 revision: 3.1 3 / 11 seite /page thermische eigenschaften mechanische eigenschaften elektrische eigenschaften / electrical properties chara kteristische werte / characteristic values freiwerdezeit circuit commutated turn - off time t vj = t vj max , i tm = i tavm v rm = 100 v, v dm = 0,67 v drm dv d /dt = 20 v/s, - di t /dt = 10 a/s 5.kennbuchstabe / 5 th letter o t q typ. 20 0 s isolations - pr fspannung insulation test voltage rms, f = 50 hz, t = 1 min rms, f = 50 hz, t = 1 sec v isol 3 ,0 3,6 kv kv thermische eigenschaften / thermal properties innerer w?rmewiderstand thermal resistance, junction to case pro modul / per module, = 180 sin pro zweig / per arm, = 180 sin pro modul / per module, dc pro zweig / per arm, dc r thjc max. max. max. max. 0,065 0,13 0 0,062 0,124 k/w k/w k/w k/w bergangs - w?rmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro modul / per module pro zweig / per arm r t hch max. max. 0,02 0,04 k/w k/w h?chstzul?ssige sperrschichttemperatur maximum junction temperature t vj max 125 c betriebstemperatur operating temperature t c op - 40...+125 c lagertemperatur storage temperature t stg - 40...+130 c mechanische ei genschaften / mechanical properties geh?use, siehe anlage case, see annex seite 3 page 3 si - element mit druckkontakt si - pellet with pressure contact innere isolation internal insulation basisisolierung (schutzklasse 1, en61140) basic insul ation (class 1, iec61140) aln anzugsdrehmoment fr mechanische anschlsse mounting torque toleranz / tolerance 15% m1 5 nm anzugsdrehmoment fr elektrische anschlsse terminal connection torque toleranz / tolerance 10% m2 12 nm steueranschlsse contro l terminals din 46 244 a 2,8 x 0,8 gewicht weight g typ. 800 g kriechstrecke creepage distance 17 mm schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 hz 50 m/s2 file - no. e 83335 mit diesem datenblatt werden halbleiterbauelemente spezifiz iert, jedoch keine eigenschaften zugesichert. es gilt in verbindung mit den zugeh?rigen technischen erl?uterungen. this data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. it is valid in combination with the belonging technical no tes.
netz - thyristor - modul phase control thyristor module technische information / t echnical i nformation tt21 0n date of publication 2012 - 12 - 19 revision: 3.1 4 / 11 seite /page ma?bild ma?bild ma?bild h h 1200v 8 -0,2 1400v 8 -0,2 1600v 8 -0,2 1800v 10-0,2 1 2 3 tt 4 5 7 6 1 2 3 td 4 5
netz - thyristor - modul phase control thyristor module technische information / t echnical i nformation tt21 0n date of publication 2012 - 12 - 19 revision: 3.1 5 / 11 seite /page r,t C werte di r,t - werte analytische elemente des transienten w?rmewiderstandes z thjc fr dc analytical elements of transient thermal impedance z thjc for dc pos. n 1 2 3 4 5 6 7 r thn [k/w] 0,0426 0,0429 0,0257 0,0097 0,0031 n [s] 3,06 0,61 0,11 0,008 0,0009 analytische funktion / analytical function: erh?hung des z th dc bei sinus und rechteckstr?men mit unterschiedlic hen stromflusswinkeln rise of z th dc for sinewave and rectangular current with different current conduction angles z th rec / z th sin = 180 = 120 = 90 = 60 = 30 z th rec [k/w] 0,01 0,0164 0,0212 0,0281 0,0405 z th sin [k /w] 0,0069 0,0098 0,0136 0,0199 0,033 z th rec = z th dc + ? z th rec z th sin = z th dc + ? z th sin ? ? ? max n n=1 thn thjc n C t - e 1 r z
netz - thyristor - modul phase control thyristor module technische information / t echnical i nformation tt21 0n date of publication 2012 - 12 - 19 revision: 3.1 6 / 11 seite /page diagramme trans. w?rmewiderstand bei sinus tr ans. w?rmewiderstand bei rechtecke bei sinus durchgangsverluste bei rechteck transienter innerer w?rmewiderstand je zweig / transient thermal impedance per arm z thjc = f(t) sinusf?rmiger strom / si nusoidal current parameter: stromflu?winkel / current conduction angle steuercharakteristik v g = f (i g ) mit zndbereichen fr v d = 12 v gate characteristic v g = f (i g ) with triggering area for v d = 12 v h?chstzul?ssige spitzensteuerverlustlei stung / maximum rated peak gate power dissipation p gm = f (t g ) : a - 40 w/10ms b - 80 w/1ms c - 100 w/0,5ms d C 150 w/ 0,1ms 0,000 0,020 0,040 0,060 0,080 0,100 0,120 0,140 0,001 0,01 0,1 1 10 100 z (th)jc [k/w] t [s] 0,1 1 10 100 10 100 1000 10000 100000 v g [v] i g [ma] t vj max = +125 c t vj = - 40 c t vj = +25 c a b c d
netz - thyristor - modul phase control thyristor module technische information / t echnical i nformation tt21 0n date of publication 2012 - 12 - 19 revision: 3.1 7 / 11 seite /page geh?usetemperatur bei sinus geh?usetemperatur bei rechteck durchlassverlustleistung je zweig / on - state power loss per arm p tav = f(i tav ) strombelastung je zweig / current load per arm berechnungsgrundlage p tav (schaltverluste gesondert bercksichtigen) calculation base p tav (switching losses should be considered separately) parameter: stromflu?winkel / current conduction angle h?chstzul?ssige geh?usetemperatur / maximum allowable case temperature t c = f(i tavm ) strombelastung je zweig / current load per arm berechnungsgrundlage p tav (schaltverluste gesondert bercksichtigen) calculation base p tav (switching losses shoul d be considered separately) parameter: stromflu?winkel / current conduction angle 0 100 200 300 400 500 600 0 50 100 150 200 250 300 350 400 p tav [w] i tav [a] dc 180 rec 120 rec 90 rec 60 rec q = 30 rec 180 sin 20 40 60 80 100 120 140 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 t c [ c] i tavm [a] dc q = 30 rec 60 rec 90 rec 120 rec 180 rec 180 sin
netz - thyristor - modul phase control thyristor module technische information / t echnical i nformation tt21 0n date of publication 2012 - 12 - 19 revision: 3.1 8 / 11 seite /page maximaler strom bei b2 und b6 h?chstzul?ssiger ausgangsstrom / maximum rated output current i d b2 - zweipuls - brckenschaltung / two - pulse bridge circuit gesamtverlustleistung der schaltun g / total power dissipation at circuit p tot parameter: w?rmewiderstand pro element zwischen den geh?usen und umgebung / thermal resistance per chip cases to ambient r thca h?chstzul?ssiger ausgangsstrom / maximum rated output current i d b6 - sech spuls - brckenschaltung / six - pulse bridge circuit gesamtverlustleistung der schaltung / total power dissipation at circuit p tot parameter: w?rmewiderstand pro element zwischen den geh?usen und umgebung / thermal resistance per chip cases to ambient r thca 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 10 30 50 70 90 110 p tot [w] t a [ c] r thca [k/w] 0,18 0,40 0,50 0,20 0,12 0,25 0,10 0,15 0,30 0,60 0,80 1,50 1,00 2,00 + - b2 i d ~ 0 100 200 300 400 500 600 i d [a] l - last l - load r - last r - load 0 500 1000 1500 2000 2500 10 30 50 70 90 110 p tot [w] t a [ c] 0,25 0,30 0,18 0,80 0,20 r thca [k/w] 0,60 1,00 0,12 0,50 0,40 , 0,15 2,00 2,00 1,50 + - b6 i d 3~ 0 100 200 300 400 500 600 700 800 i d [a]
netz - thyristor - modul phase control thyristor module technische information / t echnical i nformation tt21 0n date of publication 2012 - 12 - 19 revision: 3.1 9 / 11 seite /page maximaler strom bei w1c und w3c h?chstzul?ssiger effektivstrom / maximum rated rms current i rms w1c - einphasen - wechselwegschaltung / single - phase inverse parallel circuit gesamtverlustleistung der schaltung / total power dissipation at circuit p tot parameter: w?rmewid erstand pro element zwischen den geh?usen und umgebung / thermal resistance per chip cases to ambient r thca h?chstzul?ssiger effektivstrom / maximum rated rms current i rms w3c - dreiphasen - wechselwegschaltung / three - phase inverse parallel circui t gesamtverlustleistung der schaltung / total power dissipation at circuit p tot parameter: w?rmewiderstand pro element zwischen den geh?usen und umgebung / thermal resistance per chip cases to ambient r thca 0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 10 30 50 70 90 110 p tot [w] t a [ c] r thca k/w] 0,40 0,30 0,80 1,50 1,00 0,10 0,12 0,16 0,20 0,50 0,08 0,60 0,25 2,00 ~ ~ i rms w 1c 0 100 200 300 400 500 600 i rms [a] 0 400 800 1200 1600 2000 2400 10 30 50 70 90 110 p tot [w] t a [ c] r thca [k/w] 0,40 0,30 0,80 1,50 1,00 0,10 0,12 0,16 0,20 0,50 0,08 0,60 0,25 2,00 ~ ~ w 3c ~ ~ i rms ~ ~ 0 100 200 300 400 500 600 i rms [a]
netz - thyristor - modul phase control thyristor module technische information / t echnical i nformation tt21 0n date of publication 2012 - 12 - 19 revision: 3.1 10 / 11 seite /page steuercharverz?gerungsladung grenzstrom sperrverz?gerungsladung / recovered c harge q r = f( - di/dt) t vj = t vjmax , v r 0,5 v rrm , v rm = 0,8 v rrm parameter: durchla?strom / on - state current i tm grenzstrom / maximum overload on - state current i t(ov)m = f(t), v rm = 0,8 v rrm a: leerlauf / no - load conditions b: nach belastung mit i tavm / after load with i tavm t a = 35 c, verst?rkte luftkhlung / forced air cooling t a = 45c, luftselbstkhlung / natural air cooling 100 1000 10000 1 10 100 q r [as] - di/dt [a/s] i tm = 1000a 20a 50a 100a 200a 500a 0 1.000 2.000 3.000 4.000 5.000 0,01 0,1 1 i t(ov)m [a] t [s] b t a = 45 c a t a = 35 c
netz - thyristor - modul phase control thyristor module technische information / t echnical i nformation tt21 0n date of publication 2012 - 12 - 19 revision: 3.1 11 / 11 seite /page nutzungsbedingungen die in diesem produktdatenblatt enthaltenen daten sind ausschlie?lich fr technisch geschultes fachpersonal besti mmt. die beurteilung der eignung dieses produkte s fr ihre anwendung sowie die beurteilung der vollst?ndigkeit der bereitgestellten produktdaten fr diese anwendung obliegt ihnen bzw. ihren technischen abteilungen. in diesem produktdatenblatt werden diej enigen merkmale beschrieben, fr die wir eine liefervertragliche gew?hrleistung bernehmen. eine solche gew?hrleistung richtet sich ausschlie?lich nach ma?gabe der im jeweiligen liefervertrag enthaltenen bestimmungen. garantien jeglicher art werden fr das produkt und dessen eigenschaften keinesfalls bernommen. sollten sie von uns produktinformationen ben?tigen, die ber den inhalt dieses produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische verwendung und den einsatz dieses produktes betreffe n, setzen sie sich bitte mit dem fr sie zust?ndigen vertriebsbro in verbindung. fr interessenten halten wir application notes bereit. aufgrund der technischen anforderungen k?nnte unser produkt gesundheits gef?hrdende substanzen enthalten. bei rckfr agen zu den in d iesem produkt jeweils enthaltenen substanzen setzen sie sich bitte ebenfalls mit dem fr sie zust?ndigen vertriebsbro in verbindung. sollten sie beabsichtigen, das produkt in gesundheits - oder lebensgef?hrdenden oder lebenserhaltenden an wendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um mitteilung. wir weisen darauf hin, dass wir fr diese f?lle - die gemeinsame durchfhrung eines risiko - und qualit?tsassessments; - den abschluss von speziellen qualit?tssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame e infhrung von ma?nahmen einer laufenden produkt beobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die belieferung von der umsetzung solcher ma?nahmen abh?ngig machen. soweit erforderlich, bitten wir sie, entsprechende hinweise an ihre kunden zu geben. inhaltliche ?nderungen d i es es produktdatenblatts bleiben vorbehalten. terms & conditions of usage the product data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. you and your technical departments will hav e to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. this product data sheet is describing the specifications of this product for which a warranty is granted. any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. there will be no guarantee of any kind for the product and its specifications. should you require product information in excess of the data given in thi s product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you. for those that are specifically interested we may provide application notes. due to technical requirements our product may contain dangerous substances. for information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. should you intend to use the product in health or live endangering or life support applications, please noti fy. please note, that for any such applications we urgently recommend - to perform joint risk and quality assessments; - the conclusion of quality agreements; - to establish joint measur es of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended o n the realization of any such measures. if and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. changes of this product data sheet are reserved.

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